報(bào)告題目：InGaAs/InAlAs 雪崩光電探測(cè)器的研制及其應(yīng)用

　　報(bào)告人：趙彥立（武漢光電國(guó)家研究中心）

　　時(shí)間：4月28日（星期一）15:00-16:00

　　地點(diǎn)：理學(xué)院1-401

　　報(bào)告摘要：近年來(lái)，伴隨著智能駕駛技術(shù)、量子保密通信、3D成像及空天一體化通信等應(yīng)用領(lǐng)域的不斷發(fā)展，高速雪崩光電探測(cè)器（APD）逐漸成為研究熱點(diǎn)。InGaAs/InP及InGaAs/InAlAs單光子雪崩光電二極管(SPAD)是近紅外光探測(cè)系統(tǒng)的核心芯片。經(jīng)長(zhǎng)期積累，已報(bào)道的InGaAs/InP SPAD展示出實(shí)用性強(qiáng)、可靠性高等優(yōu)勢(shì)，是目前商用近紅外單光子探測(cè)的主流選擇。但值得思考的是，InGaAs/InAlAs APD具有更大的增益-帶寬積，更能滿足“高速”光探測(cè)系統(tǒng)的需求。本報(bào)告報(bào)道了匯報(bào)人課題組在“高速”InGaAs/InAlAs APD的優(yōu)化設(shè)計(jì)和研制方面的近期進(jìn)展，探討了其在智能駕駛用激光雷達(dá)、單光子探測(cè)、光計(jì)數(shù)通信及X-Ray探測(cè)等領(lǐng)域的實(shí)際應(yīng)用。

　　報(bào)告人簡(jiǎn)介：

　　趙彥立，博士，教授，博士生導(dǎo)師，武漢光電國(guó)家研究中心研究員。2002 年7月在浙江大學(xué)獲得博士學(xué)位。2002 年7月-2004年12月在武漢郵電科學(xué)研究院（武漢電信器件有限公司，WTD）工作，主要從事通信用光探測(cè)器的研究；2004 年12月-2006年12月于（日本）名古屋大學(xué)量子工程系/Venture Business Laboratory（VBL）從事博士后研究工作。2006年12月年作為引進(jìn)人才受聘于華中科技大學(xué)/武漢光電國(guó)家研究中心任副教授、教授至今。在 IEEE/Optica Journal of Lightwave Technology、IEEE Sensor Journal、Optics Express, IEEE Electron Device Letters 等國(guó)際知名雜志發(fā)表論文50余篇，授權(quán)專利20余項(xiàng)，包括2項(xiàng)美國(guó)專利。